Александр Васильевич Латышев

Директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН. Родился 4 января 1959 г. в Булаеве (Северо-Казахстанская область).

Окончил физический факультет Новосибирского государственного университета (1981).

Спектр научных интересов: исследование in situ структурных перестроек на поверхности полупроводников в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов, изучение структуры квантово-размерных полупроводниковых систем методами электронной микроскопии атомного разрешения, развитие методов нанолитографии, осуществление комплексной диагностической и технологической поддержки многочисленных исследований в области нанотехнологий методами высокоразрешающей, сканирующей, отражательной электронной микроскопии, а также сканирующей зондовой микроскопии.

Награды и премии: премия Правительства РФ в области образования (2014).